三星3nm、2nm良率突破：分别超60%、40%，外部合作评估中 IT之家 5 月 13 日消息，据韩媒《朝鲜日报》报道，三星电子基于 GAA（Gate-All-Around）晶体管结构的 3nm 和 2nm 节点良率分别突破了 60% 和 40%，这一进展标志着其先进制程技术取得了显著提升。在工艺良率逐步改善的背景下，三星正加速争夺全球高端芯片代工市场的订单。 ...
