三星3nm、2nm良率突破：分别超60%、40%，外部合作评估中

摘要： IT之家 5 月 13 日消息，韩媒《朝鲜日报》当地时间今日报道称，三星电子基于 GAA 晶体管结构的 3nm 和 2nm 节点良率分别超过了 60% 和 40%，在工艺良率有起色...

IT之家 5 月 13 日消息，据韩媒《朝鲜日报》报道，三星电子基于 GAA（Gate-All-Around）晶体管结构的 3nm 和 2nm 节点良率分别突破了 60% 和 40%，这一进展标志着其先进制程技术取得了显著提升。在工艺良率逐步改善的背景下，三星正加速争夺全球高端芯片代工市场的订单。

作为全球首家将 GAA 技术引入量产的企业，三星在 3nm 和 2nm 制程的研发中曾面临诸多挑战，尤其是在性能优化和良率控制方面。然而，若测试数据显示 3nm 的良率已达到 60%，这不仅意味着三星在该节点上的技术成熟度进一步提高，也表明其距离大规模商业化应用仅一步之遥。这对于亟需证明自身竞争力的三星而言，无疑是提振市场信心的重要信号。

与此同时，三星在 2nm 制程领域的布局同样引人注目。根据行业消息，三星晶圆代工部门目前已进入英伟达 GPU 和高通移动端 AP（应用处理器）项目对 2nm 工艺性能评估的最后阶段。这一合作若能成功落地，将为三星带来重要的外部客户资源，并进一步巩固其在全球半导体产业链中的地位。

值得注意的是，三星自家的旗舰产品线也有望从中受益。据最新爆料，预计于明年下半年发布的 Galaxy Z Fold8 和 Flip8 折叠屏手机或将搭载由三星 2nm 制程生产的高通骁龙 8 Elite Gen 2 处理器。这不仅体现了三星在先进制程上的自研实力，还为其终端产品的性能表现提供了强有力的技术支撑。

总结

从数据上看，三星在 GAA 技术的加持下，3nm 和 2nm 制程的良率提升显著，这为其在高端芯片代工市场争取更多客户奠定了基础。未来，随着与英伟达、高通等巨头的合作逐步深化，以及自家终端产品的广泛应用，三星有望在全球半导体竞争中占据更加有利的位置。而这背后，不仅是技术实力的体现，更是战略布局的成功实践。